Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

RS-varenummer:: 268-8302
Producentens varenummer:: SIHH250N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 44.481,00

(ekskl. moms)

Kr. 55.602,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 14,827	Kr. 44.481,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8302
Producentens varenummer:: SIHH250N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 8 x 8 L
	Serie	SIHH
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.25Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	23nC
	Effektafsættelse maks. Pd	89W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	8mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L
	Serie SIHH
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.25Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC
	Effektafsættelse maks. Pd 89W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 8mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: TW

Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 13 A kontinuerlig drain strøm - SIHH250N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømkonvertering i industrielle elektriske systemer. Den er beregnet til overflademonterede enheder, hvor der kræves robust spændingshåndtering og termisk modstandsdygtighed, og den fungerer over et bredt temperaturområde, der passer til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-kapacitet muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,25 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 23 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik • 30 V maksimal portdrevetolerance passer til standard portdrivere • 89 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsswitching i industrielle drev • Ideel til switch-mode strømforsyninger, der kræver høj Vds • Anvendes til motorinvertertrin, der håndterer moderate strømme • Kan bruges til effektfaktorkorrigeringsmoduler i anlægsudstyr

Hvilket monteringsformat kræves der til kredsløbsmontering?

Den bruger en PowerPAK 8x8 overfladepakke med fire ben, der er beregnet til printmontering med lav induktans.

Hvordan opfører enheden sig ved ekstreme temperaturer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer med bred termisk variation.

Hvad er den maksimale spænding mellem drain og source?

Den maksimale mærkespænding for drain-kilde er 650 V, hvilket definerer den øvre grænse for stabil blokeringsspænding.

Hvilke portdrevbegrænsninger skal overholdes?

Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå at beskadige gate-oxid.

Er der noteret sig regulatoriske materialerestriktioner?

Komponenten er opført som RoHS-overensstemmelse, hvilket angiver begrænsning af visse farlige stoffer.