Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 268-8303
- Producentens varenummer:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 70,39
(ekskl. moms)
Kr. 87,988
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 35,195 | Kr. 70,39 |
| 50 - 98 | Kr. 31,64 | Kr. 63,28 |
| 100 - 248 | Kr. 25,88 | Kr. 51,76 |
| 250 - 998 | Kr. 25,43 | Kr. 50,86 |
| 1000 + | Kr. 19,935 | Kr. 39,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8303
- Producentens varenummer:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay power MOSFET med fast body diode og 4. generation af E-serien teknologi. Den har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i applikationer som f.eks. strømforsyninger til skiftetilstand, serverstrømforsyninger og telekommunikationsstrømforsyninger.
Lav effektiv kapacitet
Nominel lavineenergi
Lavt tal for fortjeneste
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-kanal-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 48 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF