Vishay N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 268-8303
- Producentens varenummer:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 70,39
(ekskl. moms)
Kr. 87,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 35,195 | Kr. 70,39 |
| 50 - 98 | Kr. 31,64 | Kr. 63,28 |
| 100 - 248 | Kr. 25,88 | Kr. 51,76 |
| 250 - 998 | Kr. 25,43 | Kr. 50,86 |
| 1000 + | Kr. 19,935 | Kr. 39,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8303
- Producentens varenummer:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 13 A kontinuerlig drain strøm - SIHH250N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømkonvertering i industrielle elektriske systemer. Den er beregnet til overflademonterede enheder, hvor der kræves robust spændingshåndtering og termisk modstandsdygtighed, og den fungerer over et bredt temperaturområde, der passer til krævende miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-kapacitet muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,25 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 23 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik • 30 V maksimal portdrevetolerance passer til standard portdrivere • 89 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsswitching i industrielle drev • Ideel til switch-mode strømforsyninger, der kræver høj Vds • Anvendes til motorinvertertrin, der håndterer moderate strømme • Kan bruges til effektfaktorkorrigeringsmoduler i anlægsudstyr
Hvilket monteringsformat kræves der til kredsløbsmontering?
Den bruger en PowerPAK 8x8 overfladepakke med fire ben, der er beregnet til printmontering med lav induktans.
Hvordan opfører enheden sig ved ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer med bred termisk variation.
Hvad er den maksimale spænding mellem drain og source?
Den maksimale mærkespænding for drain-kilde er 650 V, hvilket definerer den øvre grænse for stabil blokeringsspænding.
Hvilke portdrevbegrænsninger skal overholdes?
Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå at beskadige gate-oxid.
Er der noteret sig regulatoriske materialerestriktioner?
Komponenten er opført som RoHS-overensstemmelse, hvilket angiver begrænsning af visse farlige stoffer.