Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

RS-varenummer:: 268-8300
Producentens varenummer:: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 86.352,00

(ekskl. moms)

Kr. 107.940,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 28,784	Kr. 86.352,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8300
Producentens varenummer:: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	30A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 8 x 8 L
	Serie	SIHH
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.085Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	184W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	8mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L
	Serie SIHH
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 184W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 8mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: TW

Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 30 A drain strøm - SIHH085N60EF-T1GE3

Denne n-kanal MOSFET er en højspændings koblingsenhed, der er designet til brug i strømkonverterings- og styringssystemer i industrielle og automatiseringsmiljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonterede enheder, hvor der kræves robust højspændingshåndtering og effektiv omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskontaktkapacitet • 30 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter vedvarende belastningsdrift • 0,085 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje • 63 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig omskiftning • 184 W effekttab til håndtering af høj termisk belastning • 150 °C maksimal samletemperatur til brug ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til industrielle motordrevinvertere, der kræver højspændingsenheder • Anvendes til strømforsyninger i automatiseringsudstyr med høje krav til kobling • Ideel til switch-mode-konvertere, der håndterer betydeligt effekttab • Kan bruges til udskiftning af højspændingsrelæer i elektriske kontrolpaneler

Hvilken monteringstype kræver den på et kort?

Den leveres i en PowerPAK 8x8-pakke til overflademontering, der kræver kompatible loddemønster til termisk og elektrisk forbindelse.

Hvordan påvirker gate-spændingsgrænsen styringskredsløb?

Porten skal drives inden for ±30 V for at forhindre dielektrisk portbelastning, så portdrivere skal give passende spændingsmargener og beskyttelse.

Hvilke termiske forhold skal der tages hensyn til under designet?

Med en dissipationsgrad på 184 W og maksimal driftstemperatur på 150 °C er termisk styring som f. eks. varmespredning og tilstrækkeligt printkobber nødvendigt for at opretholde sikre samlingstemperaturer.

Hvilken kompleksitet i benkonfigurationen skal designere forvente?

Enheden har fire ben, der kræver korrekt tildeling i layout for at sikre lavinduktionstilslutninger til drain-, kilde- og gatefunktioner.