Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

Alternativ

Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.

presentation
Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
RS-varenummer
268-8301

(Leveres Pr. stk.)

Kr. 71,66

(ekskl. moms)

Kr. 89,58

(inkl. moms)

RS-varenummer:
268-8300
Producentens varenummer:
SIHH085N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 8 x 8 L

Serie

SIHH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.085Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

8mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHH085N60EF-T1GE3


Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til systemer, der kræver robust drain-source-spændingstolerance og betydelig kontinuerlig strømhåndtering. Enheden opfylder RoHS-kravene og leveres i et kompakt PowerPAK 8x8-hus til kortmontering med lav profil.

Egenskaber og fordele:


• 650 V drain-source mærkeværdi til skift ved forøget spænding
• 30 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 0.085 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab
• 184 W maks. tab for høj termisk margen
• ±30 V gate-tolerance til at passe til forskellige gate-drive-niveauer
• 63 nC gate-ladning, der muliggør forudsigelig koblingsenergi

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og invertere
• Ideel til omskiftningstrin foran på motordrev
• Anvendes sammen med DC-DC-konvertere, der kræver høj effekthåndtering
• Kan bruges til industrielle switch-mode strømforsyninger
• Velegnet til telekommunikations- og serverstrømkonverteringsmoduler

Hvilket termisk miljø tåler den under drift?


Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for anvendelse under krævende termiske forhold, når den parres med passende termisk styring.

Hvordan understøtter pakken implementering på kortniveau?


PowerPAK 8x8-formatet til overflademontering giver et lavprofilsaftryk med en 4-benet opsætning, der er velegnet til automatiseret samling og effektiv termisk føring af printkort.

Hvad er kanaltilstanden, og dens betydning for kredsløbsdesign?


Det er en N-kanal-enhed med forbedringstilstand, så den kræver et positivt gate-til-kilde-drev til at tænde, hvilket muliggør enkle high-side- eller low-side-switchingtopologier med passende gate-drivere.

Er der miljømæssige eller lovgivningsmæssige hensyn til materialer?


Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-materialerestriktioner, hvilket angiver, at den er fri for visse begrænsede stoffer for overensstemmelsesdrevne design.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.