Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 42 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-varenummer:: 239-8635
Producentens varenummer:: SIHK055N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 42 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Indhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*

Kr. 51.558,00

(ekskl. moms)

Kr. 64.448,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 25,779	Kr. 51.558,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 239-8635
Producentens varenummer:: SIHK055N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	42A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.056Ω
	Kanalform	Udtømning
	Effektafsættelse maks. Pd	236W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	54nC
	Portkildespænding maks.	30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.056Ω
	Kanalform Udtømning
	Effektafsættelse maks. Pd 236W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC
	Portkildespænding maks. 30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spænding, 42 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK055N60E-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende strømkonverterings- og bilstyringsmiljøer. Den fungerer over et udvidet omgivende område og tilbydes i en kompakt pakke til overflademontering, der er velegnet til enheder med høj tæthed, hvilket giver en balance mellem effekthåndtering og termisk kapacitet til industrielle og køretøjselektroniske systemer.

Egenskaber og fordele:

• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 42 A kontinuerlig strøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.056 Ω Rds(on) reducerer ledningstab
• 236 W effekttab muliggør vedvarende effektgennemstrømning
• 54 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
• 30 V gate-tolerance sikrer robust drevmargen

Anvendelser

• Velegnet til effektafbrydere med trækkraftomformertrin
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj spænding
• Anvendes sammen med motordrevstyreenheder i motorsystemer
• Kan bruges til omskiftning af industrielle strømforsyninger
• Velegnet til overflademonterede højeffektsenheder

Hvilket termisk område kan jeg forvente, når jeg anvender denne enhed?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til +150 °C, hvilket muliggør drift under ekstreme omgivende og under kappen forhold.

Hvordan påvirker pakken montering og køling?

PowerPAK 10x12-formatet til overflademontering giver et lavprofilsaftryk, der letter termisk ledning af printkort og tætte kortlayouts.

Er denne enhed velegnet til bilprojekter med kvalifikationsbehov?

Den opfylder AEC-Q101-kravene, hvilket gør den anvendelig til mange køretøjselektronikkonstruktioner, der kræver komponenter i bilkvalitet.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?

Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 30 V, så gate-drive-kredsløb skal begrænse udgange inden for dette område for at forhindre belastning.