Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E Nej SIHB120N60E-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 91,93

(ekskl. moms)

Kr. 114,912

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 796 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 45,965Kr. 91,93
20 - 98Kr. 44,58Kr. 89,16
100 - 198Kr. 42,71Kr. 85,42
200 - 498Kr. 40,43Kr. 80,86
500 +Kr. 38,11Kr. 76,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2842
Producentens varenummer:
SIHB120N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links