Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E Nej SIHB120N60E-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 91,93

(ekskl. moms)

Kr. 114,912

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 796 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 45,965Kr. 91,93
20 - 98Kr. 44,58Kr. 89,16
100 - 198Kr. 42,71Kr. 85,42
200 - 498Kr. 40,43Kr. 80,86
500 +Kr. 38,11Kr. 76,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2842
Producentens varenummer:
SIHB120N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links