Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 228-2842
- Producentens varenummer:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 81,31
(ekskl. moms)
Kr. 101,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 796 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 40,655 | Kr. 81,31 |
| 20 - 98 | Kr. 39,455 | Kr. 78,91 |
| 100 - 198 | Kr. 37,85 | Kr. 75,70 |
| 200 - 498 | Kr. 35,755 | Kr. 71,51 |
| 500 + | Kr. 33,695 | Kr. 67,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2842
- Producentens varenummer:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-kanal-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-263, E Series
- Vishay Type N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay N-kanal-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, E Series
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E