Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 228-2842
- Producentens varenummer:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 81,31
(ekskl. moms)
Kr. 101,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 796 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 40,655 | Kr. 81,31 |
| 20 - 98 | Kr. 39,455 | Kr. 78,91 |
| 100 - 198 | Kr. 37,85 | Kr. 75,70 |
| 200 - 498 | Kr. 35,755 | Kr. 71,51 |
| 500 + | Kr. 33,695 | Kr. 67,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2842
- Producentens varenummer:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 25 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB120N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-enhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i overflademonterede enheder. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig spændingstolerance og termisk ydeevne, samtidig med at den overholder RoHS-direktiver.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-til-kilde-modstand muliggør højspændingsswitching
• 25 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 120 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 179 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
• 30 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 25 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 120 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 179 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
• 30 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes til DC-DC-konvertering i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til UPS og omskiftning af batteristyring
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes til DC-DC-konvertering i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til UPS og omskiftning af batteristyring
Hvilket termisk område kan denne enhed tolerere under drift?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.
Hvordan er enheden pakket til printkortmontering?
Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering med tre terminaler til effektiv kortmontering og varmeafledning.
Hvilken skifteadfærd kan jeg forvente med hensyn til gate-drev?
Med en maksimal gate-source-spænding på 30 V og en typisk gate-ladning på 30 nC er kravene til gate-driverne moderate og forudsigelige for almindelige gate-driverkredsløb.
Er denne del velegnet til specielle anvendelser inden for biler?
Den er ikke udpeget til bilstandarder, så den bør ikke vælges, hvor der kræves en bilcertificering.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-263, E Series