Vishay N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 210-4967
- Producentens varenummer:
- SIHB11N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 210-4967
- Producentens varenummer:
- SIHB11N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 391mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.06mm | |
| Længde | 14.61mm | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 391mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.06mm | ||
Længde 14.61mm | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har D2PAK (TO-263) hustype med enkelt konfiguration.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (CISS)
Færre skift og ledningstab
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 21 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, SiHB17N80E
- Vishay N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE