Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E Nej SIHB24N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 43,68

(ekskl. moms)

Kr. 54,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 944 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 21,84Kr. 43,68
20 - 48Kr. 19,71Kr. 39,42
50 - 98Kr. 18,55Kr. 37,10
100 - 198Kr. 17,465Kr. 34,93
200 +Kr. 16,195Kr. 32,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2847
Producentens varenummer:
SIHB24N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

184mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links