Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 228-2846
- Producentens varenummer:
- SIHB24N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 471,35
(ekskl. moms)
Kr. 589,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 900 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 9,427 | Kr. 471,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2846
- Producentens varenummer:
- SIHB24N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 184mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 59nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 184mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 21 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, SiHB17N80E
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E