Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB17N80E Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 19.138,00

(ekskl. moms)

Kr. 23.922,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 19,138Kr. 19.138,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7226
Producentens varenummer:
SIHB17N80E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHB17N80E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

290mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

122nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.83 mm

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

15.88mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har en lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG og en lav indgangskapacitet (CISS).

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links