Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB17N80E
- RS-varenummer:
- 204-7227
- Producentens varenummer:
- SIHB17N80E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 199,72
(ekskl. moms)
Kr. 249,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 39,944 | Kr. 199,72 |
| 25 - 45 | Kr. 35,964 | Kr. 179,82 |
| 50 - 120 | Kr. 31,954 | Kr. 159,77 |
| 125 - 245 | Kr. 30,728 | Kr. 153,64 |
| 250 + | Kr. 29,964 | Kr. 149,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7227
- Producentens varenummer:
- SIHB17N80E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHB17N80E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.88mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHB17N80E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.88mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har en lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG og en lav indgangskapacitet (CISS).
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, SiHB17N80E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 21 A 800 V Forbedring TO-263, E
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh