Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 25,66

(ekskl. moms)

Kr. 32,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 25,66
10 - 49Kr. 15,86
50 - 99Kr. 12,42
100 +Kr. 10,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-129
Producentens varenummer:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SIHB21N80AE

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.205Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

0.42mm

Bredde

0.355mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay Power MOSFET giver høj effektivitet og robust ydeevne i strømforsyninger, velegnet til krævende anvendelser i server- og telekommunikationsmiljøer. Den er designet til at optimere energistyringen og minimere tab.

Lav effektiv kapacitans bidrager til hurtigere reaktionstider

Enkelt konfiguration strømliner design og integration

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.