Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 27,00

(ekskl. moms)

Kr. 33,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 27,00
10 - 49Kr. 16,68
50 - 99Kr. 13,02
100 +Kr. 10,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-129
Producentens varenummer:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SIHB21N80AE

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.205Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

0.355mm

Længde

0.42mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay Power MOSFET giver høj effektivitet og robust ydeevne i strømforsyninger, velegnet til krævende anvendelser i server- og telekommunikationsmiljøer. Den er designet til at optimere energistyringen og minimere tab.

Lav effektiv kapacitans bidrager til hurtigere reaktionstider

Enkelt konfiguration strømliner design og integration

Relaterede links