Vishay N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE
- RS-varenummer:
- 735-129
- Producentens varenummer:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 25,96
(ekskl. moms)
Kr. 32,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 25,96 |
| 10 - 49 | Kr. 16,08 |
| 50 - 99 | Kr. 12,49 |
| 100 + | Kr. 10,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-129
- Producentens varenummer:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SIHB21N80AE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.205Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 0.42mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 0.355mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SIHB21N80AE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.205Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 0.42mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 0.355mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET giver høj effektivitet og robust ydeevne i strømforsyninger, velegnet til krævende anvendelser i server- og telekommunikationsmiljøer. Den er designet til at optimere energistyringen og minimere tab.
Lav effektiv kapacitans bidrager til hurtigere reaktionstider
Enkelt konfiguration strømliner design og integration