Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG21N80AE Nej SIHG21N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 75,77

(ekskl. moms)

Kr. 94,712

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 44 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 37,885Kr. 75,77
20 - 48Kr. 34,11Kr. 68,22
50 - 98Kr. 32,275Kr. 64,55
100 - 198Kr. 30,33Kr. 60,66
200 +Kr. 28,46Kr. 56,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4989
Producentens varenummer:
SIHG21N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SiHG21N80AE

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

235mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.31 mm

Højde

20.82mm

Længde

15.87mm

Distrelec Product Id

304-38-848

Bilindustristandarder

Nej

Power MOSFET i E-serien.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links