Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF

RS-varenummer:: 225-9913
Producentens varenummer:: SIHG15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247AC, EF

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 303,40

(ekskl. moms)

Kr. 379,25

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 525 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
25 +	Kr. 12,136	Kr. 303,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 225-9913
Producentens varenummer:: SIHG15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-247AC
	Serie	EF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	350mΩ
	Effektafsættelse maks. Pd	156W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	53nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	2.39mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	10.41mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-247AC
	Serie EF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 350mΩ
	Effektafsættelse maks. Pd 156W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 2.39mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 10.41mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHG15N80AEF-GE3

Vishay EF seriens Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 13 A drain strøm - SIHG15N80AEF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en silicium-N-kanal-transistor, der er designet til højspændingsswitching og strømkonvertering i industrielle miljøer. Den er beregnet til overflademonterede enheder, der kræver robust håndtering af drain-til-kilde-spænding og høje driftstemperaturer, hvilket gør den velegnet til krævende elektriske og mekaniske styringssystemer.

Egenskaber og fordele:

• 800 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig strøm understøtter betydelig belastningskørsel • 350 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje • 53 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningskontrol • 156 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • 30 V maksimal gate-belastning beskytter gate-drivkredsløb

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsinvertere i automatiseringssystemer • Ideel til strømforsyninger i industrielt styreudstyr • Anvendes til omskiftning af motordrev i elektriske enheder • Kan bruges til snubber- og klemnetværk i kraftelektronik

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?

Den fungerer over et bredt område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug i varierede termiske miljøer.

Hvordan er den pakket til montering på enheder?

Den leveres i et TO‐247AC-kabinet konfigureret til overflademonteret installation med tre tilslutningsben.

Hvilke overvejelser om gate-drev er relevante for omskiftning?

Porten skal drives inden for ±30 V-grænser og være dimensioneret til at håndtere en typisk 53 nC opladning til kontrollerede skifteovergange.

Hvordan styrer enheden strømmen under belastning?

Den kan sprede op til 156 W, når den er korrekt kølet, hvilket giver mulighed for kontinuerlig drift ved nominel strøm med tilstrækkelig termisk styring.