Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E

RS-varenummer:: 210-4986
Producentens varenummer:: SIHG17N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 99,10

(ekskl. moms)

Kr. 123,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 1.475 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 19,82	Kr. 99,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 210-4986
Producentens varenummer:: SIHG17N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	15A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	E
	Emballagetype	TO-247AC
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	250mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	179W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	41nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	4.83mm
	Længde	35.3mm
	Bredde	15.66mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie E
	Emballagetype TO-247AC
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 250mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 179W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 4.83mm
	Længde 35.3mm
	Bredde 15.66mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHG17N80AE-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V maksimal drain-kildespænding, 15 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHG17N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende strømkonverteringsmiljøer. Den fungerer som en N-kanal-enhed med forstærkning og er beregnet til montering gennem hul i anvendelser, der kræver robust højspændingshåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet. Komponenten opfylder RoHS-kravene og fungerer i et bredt omgivelsestemperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-source-klassificering muliggør drift af højspændingssystemer
• 15 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 250 mΩ RDS(on) giver reducerede ledningstab under belastning
• Maksimalt effekttab på 179 W muliggør kobling med høj effekt
• 41 nC typisk gate-ladning letter forudsigelig skifteadfærd
• 30 V maksimal gate-source-tolerance beskytter mod gate-overdriving

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til design af effektelektronik med switch-mode
• Anvendes sammen med flyback- og boost-omformertopologier
• Kan bruges til industrielle motordrevskontakttrin
• Velegnet til højspændings laboratorie- og testudstyr

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med både koldstart og høje temperaturer.

Hvilken hustype og monteringstype bruger den?

Enheden leveres i en TO-247AC-pakke og er designet til montering af printkort med gennemgående huller for sikker mekanisk og termisk forbindelse.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding ledningsevnen?

Den fremadrettede spænding på 1,2 V angiver spændingsfaldet i tændt tilstand under ledningsforhold, hvilket indgår i beregninger af termisk design og effekttab.

Er den velegnet til kvalificeringstest i biler?

Den er ikke udpeget som bilstandard

egnethed til brug i køretøjer skal vurderes i forhold til de krævede specifikationer for biler.