Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 62,31

(ekskl. moms)

Kr. 77,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,231Kr. 62,31
100 - 240Kr. 5,617Kr. 56,17
250 - 490Kr. 5,296Kr. 52,96
500 - 990Kr. 4,054Kr. 40,54
1000 +Kr. 3,777Kr. 37,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4982
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-847
Producentens varenummer:
SIHD2N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.9A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-252

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.9Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.22mm

Højde

2.25mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 2,9 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHD2N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er beregnet til brug i industrielle og elektroniske systemer, hvor der kræves robust spændingshåndtering og termisk modstandsdygtighed. Den fungerer som en N-kanalenhed med forstærkning, der er designet til overflademonteret installation og er velegnet til strømkonverterings- og styringsopgaver i automatisering og elektrisk udstyr.

Egenskaber og fordele:


• 800 V-klassificering muliggør højspændingsswitching i kompakte design • 2,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 7 nC typisk gate-opladning for effektiv gate-drive-energistyring • 2,9 Ω Rds(on) begrænser ledningstab under lette til moderate belastninger • 62,5 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • Driftsområde fra -55 °C til 150 °C til anvendelser med forhøjet temperatur

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning af højspændingsskinner i industrielle konvertere • Ideel til brug i effekttrin i motordrev med moderate strømme • Anvendes til omskiftning på linjesiden i strømforsyninger og invertere • Kan bruges til undertrykkelse af transienter og snubberkredsløb i AC-systemer

Hvilket gate-spændingsområde skal jeg observere for styringskredsløb?


Enheden tolererer gate-source-spændinger op til 30 V, så gate-drivere skal specificeres, at de forbliver inden for dette maksimum for at forhindre forringelse af porten.

Hvordan påvirker montering den termiske ydeevne?


Som en overflademonteret TO-252-pakke er termisk overførsel afhængig af et godt printkortkobberområde og termiske kanaler til at sprede enhedens nominelle effekt

vil utilstrækkeligt kobber hæve forbindelsestemperaturen.

Hvilket pakkeantal ben og konfiguration medfølger?


Komponenten leveres i en trebenet TO-252-konfiguration, der er velegnet til standard overflademonteringsprocesser.

Hvordan skal jeg tage hensyn til fremadgående ledningsadfærd i designet?


Den rapporterede fremadrettede spænding er 1,2 V

inkluder dette i tabsberegninger, når husdioden leder under omvendt genopretning eller synkroniseringshændelser.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.