Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SiHD2N80AE Nej SIHD2N80AE-GE3
- RS-varenummer:
- 188-4982
- Producentens varenummer:
- SIHD2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 62,31
(ekskl. moms)
Kr. 77,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Begrænset lager
- Plus 1.400 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,231 | Kr. 62,31 |
| 100 - 240 | Kr. 5,617 | Kr. 56,17 |
| 250 - 490 | Kr. 5,296 | Kr. 52,96 |
| 500 - 990 | Kr. 4,054 | Kr. 40,54 |
| 1000 + | Kr. 3,777 | Kr. 37,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4982
- Producentens varenummer:
- SIHD2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | SiHD2N80AE | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.25mm | |
| Distrelec Product Id | 304-38-847 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie SiHD2N80AE | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.25mm | ||
Distrelec Product Id 304-38-847 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Power MOSFET i E-serien.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (lav kapacitet)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, DPAK (TO-252) SIHD2N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V DPAK (TO-252), E SIHD11N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben E SIHU2N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 7 3 ben, DPAK (TO-252) SIHLR120TR-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V DPAK (TO-252) SIHD186N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 23 A 60 V DPAK (TO-252) SUD23N06-31-GE3
- Infineon N-Kanal 13 A 800 V DPAK (TO-252) IPD80R360P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 2 A 800 V DPAK (TO-252) IPD80R2K7C3AATMA1