Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E
- RS-varenummer:
- 188-4982
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-847
- Producentens varenummer:
- SIHD2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 62,31
(ekskl. moms)
Kr. 77,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,231 | Kr. 62,31 |
| 100 - 240 | Kr. 5,617 | Kr. 56,17 |
| 250 - 490 | Kr. 5,296 | Kr. 52,96 |
| 500 - 990 | Kr. 4,054 | Kr. 40,54 |
| 1000 + | Kr. 3,777 | Kr. 37,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4982
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-847
- Producentens varenummer:
- SIHD2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 800 V maksimal drain source spænding, 62,5 W maksimal effekttab - SIHD2N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til brug i industrielle sammenhænge og strømkonvertering. Den fungerer som en N-kanal-transistor med forstærkning og er beregnet til overflademonterede kredsløbsdesign, hvor robust spændingshåndtering og kontrolleret skifteadfærd er påkrævet. Enheden leveres i en TO-252-pakke og opfylder RoHS-miljøstandarder.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-kapacitet muliggør højspændingsswitching
• 2.9 Ω Rds(on) understøtter moderate ledningstab
• 62,5 W effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 7 nC typisk gate-ladning leverer forudsigelig koblingsenergi
• 30 V portklassificering giver en bred portdrevmargin
• 2,9 A kontinuerlig afløbsstrøm passer til stabiliserede belastninger
• 2.9 Ω Rds(on) understøtter moderate ledningstab
• 62,5 W effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 7 nC typisk gate-ladning leverer forudsigelig koblingsenergi
• 30 V portklassificering giver en bred portdrevmargin
• 2,9 A kontinuerlig afløbsstrøm passer til stabiliserede belastninger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til industrielle koblingsforsyninger og hjælpeskinner
• Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver beskedne opladningsbudgetter
• Kan bruges til ikke-bil-højspændingsbelastningsswitching
• Ideel til industrielle koblingsforsyninger og hjælpeskinner
• Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver beskedne opladningsbudgetter
• Kan bruges til ikke-bil-højspændingsbelastningsswitching
Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den tolerere under drift?
Den er normeret til at fungere over et bredt temperaturområde fra -55 °C op til 150 °C, der passer til krævende industrielle miljøer.
Hvordan påvirker pakken printkortmontering og termisk vej?
TO-252-pakken til overflademontering muliggør kompakt placering af kortet og giver en direkte termisk ledningsvej til printkortet i kobber til varmeafledning.
Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes for switching-ydeevne?
Driftsspændingerne bør forblive inden for ±30 V-grænser og være dimensioneret til at oplade porten med ca. 7 nC for at opnå den karakteristiske skifteadfærd uden overdreven drivstrøm.
Er dette velegnet til brug i biler?
Den er ikke specificeret som bilkvalitet, så den bør ikke vælges, hvor der kræves specifikke godkendelser for biler.