Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS Nej SPD02N80C3ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 76,065

(ekskl. moms)

Kr. 95,085

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.355 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 +Kr. 5,071Kr. 76,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4479
Producentens varenummer:
SPD02N80C3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.7Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC1

Distrelec Product Id

304-39-428

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon Cool MOS MOSFET anvender ny revolutionerende højspændingsteknologi og har høj peak-strømkapacitet.

Den har ultralav gate-opladning

Relaterede links