Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 214-4479
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-428
- Producentens varenummer:
- SPD02N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 76,065
(ekskl. moms)
Kr. 95,085
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 + | Kr. 5,071 | Kr. 76,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4479
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-428
- Producentens varenummer:
- SPD02N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon Cool MOS MOSFET anvender ny revolutionerende højspændingsteknologi og har høj peak-strømkapacitet.
Den har ultralav gate-opladning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7