Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS Nej SPD02N80C3ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 76,065

(ekskl. moms)

Kr. 95,085

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.355 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 +Kr. 5,071Kr. 76,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4479
Producentens varenummer:
SPD02N80C3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.7Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC1

Distrelec Product Id

304-39-428

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon Cool MOS MOSFET anvender ny revolutionerende højspændingsteknologi og har høj peak-strømkapacitet.

Den har ultralav gate-opladning

Relaterede links