Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7 Nej
- RS-varenummer:
- 168-5917
- Producentens varenummer:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.750,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.450,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,70 | Kr. 6.750,00 |
| 5000 + | Kr. 2,565 | Kr. 6.412,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5917
- Producentens varenummer:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET
800 V CoolMOS P7 Power MOSFET-serien skaber endnu større effektivitet og termisk ydelse. Velegnede anvendelser er strømadaptere, LED-belysning, lyd, industri- og ekstern strømforsyning.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej IPD80R1K4P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej IPD80R600P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej IPD80R3K3P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej IPD80R750P7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7 Nej
