Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

RS-varenummer:: 214-9046
Producentens varenummer:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 2.855,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.570,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 1,142	Kr. 2.855,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-9046
Producentens varenummer:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4A
	Drain source spænding maks. Vds	700V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	CoolMOS P7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.4Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.7nC
	Effektafsættelse maks. Pd	22.7W
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Portkildespænding maks.	16V
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.22mm
	Højde	2.41mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A
	Drain source spænding maks. Vds 700V
	Emballagetype TO-252
	Serie CoolMOS P7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC
	Effektafsættelse maks. Pd 22.7W
	Min. driftstemperatur -40°C
	Portkildespænding maks. 16V
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.22mm
	Højde 2.41mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V maksimal drain source-spænding, 4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD70R1K4P7SAUMA1

Denne MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til strømkonverterings- og drevanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og giver N-kanals forstærkningskontaktfunktion, der er velegnet til overflademonterede enheder i krævende elektriske systemer.

Egenskaber og fordele:

• 700 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1.4 Ω lav RDS(on) reducerer ledningstab under belastning
• 22,7 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 4.7 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv omskiftningskontrol
• 16 V portklassificering muliggør betydelig plads til portdrev

Anvendelser

• Velegnet til SMPS primære koblingstrin
• Ideel til motordrevede halvbrokontakter
• Anvendes sammen med industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Kan bruges til switch-mode strømregulering
• Velegnet til overflademonterede strømforsyningsenheder

Hvilket termisk område er acceptabelt til drift?

Den er specificeret til at fungere fra -40 °C op til 150 °C.

Hvilken hustype og monteringsmetode bruger den?

Den leveres i en TO-252-pakke og er beregnet til overflademontering.

Hvor mange ben er tilgængelige til printkorttilslutning?

Der er tre elektriske ben til standard MOSFET-tilslutning.

Hvad er den typiske fremadgående spænding ved ledning?

Den fremadrettede spænding under specificerede forhold er 0,9 V.

Hvilke kanalegenskaber påvirker enhedens adfærd?

Det er en N-kanal, forstærket enhed med specificerede grænser for port og afløb.