Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7 Nej
- RS-varenummer:
- 214-9046
- Producentens varenummer:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 2.855,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.570,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,142 | Kr. 2.855,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9046
- Producentens varenummer:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste CoolMOS P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at fokusere på omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Super Junction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydelsesforhold og det art avancerede brugervenlighed. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design.
Den har fremragende termisk adfærd
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7 Nej IPD70R1K4P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R600P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7 Nej