Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*

Kr. 4.780,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.975,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 1,912Kr. 4.780,00
5000 +Kr. 1,877Kr. 4.692,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4393
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-408
Producentens varenummer:
IPD70R900P7SAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

900mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

30.5W

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Portkildespænding maks.

16V

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Bredde

6.42mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V maksimal drain source-spænding, 6 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD70R900P7SAUMA1


Denne MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingstransistor, der er designet til effektkonvertering og koblingsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonterede strømkonstruktioner, hvor høj blokeringsspænding og moderat strømkapacitet er påkrævet. Enheden understøtter forstærkningsdrift og er velegnet til systemer, der kræver kompakte strømkomponenter med kontrollerede gate-drive-egenskaber.

Egenskaber og fordele:


• 700 V blokeringsspænding, der muliggør højspændingsswitching
• 6 A kontinuerlig afløbsstrøm til moderat belastningshåndtering
• 900 mΩ Rds(on) begrænser ledningstab under belastning
• 6.8 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 30.5 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• 16 V maks. gate-source-klassificering, der muliggør robust gate-drev

Anvendelser


• Velegnet til SMPS primære omskifteropgaver i højspændingsforsyninger
• Ideel til offline strømforsyninger, der kræver 700 V blokering
• Anvendes sammen med strømomformere, der har brug for moderat jævnstrøm
• Kan bruges til switch-mode topologier i industrielt udstyr
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilken hustype leveres til kortmontering?


Den leveres i en TO-252-pakke til overflademontering, der giver mulighed for loddet printkortfastgørelse og effektiv termisk kontakt.

Hvordan påvirker temperaturområdet implementeringen i barske miljøer?


Enheden er specificeret til drift fra -40 °C op til 150 °C, hvilket understøtter anvendelser med høje samlingstemperaturer og store omgivelsesvariationer.

Hvilke begrænsninger for portdrev skal overholdes i konstruktioner?


Porten må ikke overstige ±16 V i forhold til kilden, så portdrevskredsløb skal omfatte klemning eller niveauskift for at forhindre overspænding.

Hvordan påvirker enhedens kanal og tilstand kredsløbstopologien?


Som en N-kanalforbedringsenhed kræver den en positiv gate-source-spænding til at føre og er velegnet til lav- eller højsidekobling med passende driverarrangementer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.