Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4391
- Producentens varenummer:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 6.747,50
(ekskl. moms)
Kr. 8.435,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,699 | Kr. 6.747,50 |
| 5000 + | Kr. 2,632 | Kr. 6.580,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4391
- Producentens varenummer:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.42mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.65mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.42mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.65mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 12,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPD70R360P7SAUMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til switch-mode strømkonvertering og andre strømhåndteringsroller. Det er en overflademonteret komponent, der er beregnet til brug, hvor der er behov for robust spændingsblokering og skiftekapacitet i kompakte enheder. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og understøtter typiske gate-drivspændinger til effektelektronik.
Egenskaber og fordele:
• 700 V blokeringsevne muliggør højspændingsdesign
• 12.5 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• RDS(on) 360 mΩ minimerer ledningstab under belastning
• Effekttab på 59,5 W muliggør vedvarende termisk håndtering
• Gate-opladning 16,4 nC reducerer koblingsenergitab
• VGS-klassificering ±16 V muliggør standard gate-drive-margener
• 12.5 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• RDS(on) 360 mΩ minimerer ledningstab under belastning
• Effekttab på 59,5 W muliggør vedvarende termisk håndtering
• Gate-opladning 16,4 nC reducerer koblingsenergitab
• VGS-klassificering ±16 V muliggør standard gate-drive-margener
Anvendelser
• Velegnet til højspændings SMPS-primære kontakter
• Ideel til industrielle strømomformertrin
• Anvendes sammen med flyback- og forward-topologier i forsyninger
• Kan bruges til frontender med effektfaktorkorrektion
• Velegnet til højspændingstest og laboratorieopsætninger
• Ideel til industrielle strømomformertrin
• Anvendes sammen med flyback- og forward-topologier i forsyninger
• Kan bruges til frontender med effektfaktorkorrektion
• Velegnet til højspændingstest og laboratorieopsætninger
Hvilket termisk område kan enheden tolerere under drift?
Den er specificeret til drift fra -40 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.
Hvilken pakke skal jeg forvente med hensyn til kortlayout?
Delen leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben for nem integration af printkortfodaftryk.
Hvad er fremadgående ledningsegenskab under omskiftning?
Den fremadrettede spænding er 0,9 V, hvilket påvirker beregninger af ledningstab under drift i tændt tilstand.
Hvordan skal gate-drive-design tage hensyn til koblingsadfærd?
Brug den typiske gate-ladning på 16,4 nC til størrelse af driverstrøm og koblingstiming til de ønskede overgangshastigheder.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7