Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4422
- Producentens varenummer:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 96,58
(ekskl. moms)
Kr. 120,72
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,829 | Kr. 96,58 |
| 100 - 180 | Kr. 3,719 | Kr. 74,38 |
| 200 - 480 | Kr. 3,477 | Kr. 69,54 |
| 500 - 980 | Kr. 3,236 | Kr. 64,72 |
| 1000 + | Kr. 2,994 | Kr. 59,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4422
- Producentens varenummer:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.1mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
700V Cool MOS P7 super-junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, som f.eks. opladere til mobiltelefoner eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer.
Den understøtter mindre magnetisk størrelse med lavere BOM-omkostninger
Den har høj ESD-robusthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7