Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- RS-varenummer:
- 222-4934
- Producentens varenummer:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 107,34
(ekskl. moms)
Kr. 134,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 760 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,367 | Kr. 107,34 |
| 100 - 180 | Kr. 5,21 | Kr. 104,20 |
| 200 - 480 | Kr. 5,079 | Kr. 101,58 |
| 500 - 980 | Kr. 4,952 | Kr. 99,04 |
| 1000 + | Kr. 4,829 | Kr. 96,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4934
- Producentens varenummer:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | IPS70R | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie IPS70R | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon, der er udviklet til at betjene nutidens og især morgendagens tendenser inden for flyback topologier – den nye 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET-serie henvender sig til SMPS-markedet med lavt strømforbrug, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Ved at kombinere kundernes feedback med mere end 20 års superjunction MOSFET-oplevelse, 700 V.
Mulighed for skift ved høj hastighed
Integreret zenerdiode-beskyttelse
Optimeret V (GS) TH på 3 V med meget smal tolerance på ±0,5 V.
Fint inddelt portefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 8.7 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE