Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 89,02

(ekskl. moms)

Kr. 111,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 4,451Kr. 89,02
100 - 180Kr. 3,475Kr. 69,50
200 - 480Kr. 3,25Kr. 65,00
500 - 980Kr. 3,03Kr. 60,60
1000 +Kr. 2,802Kr. 56,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4713
Producentens varenummer:
IPSA70R600P7SAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.5A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-251

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

43.1W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.38 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon designet af Cool MOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Produktvalidering i henhold JEDEC-standard

Lavt skiftetab (Eoss)

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Fremragende termisk ydelse

Relaterede links

Recently viewed