Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS Nej IPSA70R450P7SAKMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 86,625

(ekskl. moms)

Kr. 108,285

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.395 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 135Kr. 5,775Kr. 86,63
150 - 360Kr. 5,485Kr. 82,28
375 - 735Kr. 5,365Kr. 80,48
750 - 1485Kr. 5,027Kr. 75,41
1500 +Kr. 4,677Kr. 70,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4711
Producentens varenummer:
IPSA70R450P7SAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-251

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

450mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.38 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon designet af Cool MOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Produktvalidering i henhold JEDEC-standard

Lavt skiftetab (Eoss)

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Fremragende termisk ydelse

Relaterede links