Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101

RS-varenummer:: 217-2580
Producentens varenummer:: IPS70R360P7SAKMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 307,95

(ekskl. moms)

Kr. 384,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Begrænset lager

150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
75 - 75	Kr. 4,106	Kr. 307,95
150 - 300	Kr. 3,572	Kr. 267,90
375 - 675	Kr. 3,326	Kr. 249,45
750 - 1800	Kr. 3,08	Kr. 231,00
1875 +	Kr. 2,915	Kr. 218,63

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 217-2580
Producentens varenummer:: IPS70R360P7SAKMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12.5A
	Drain source spænding maks. Vds	700V
	Serie	CoolMOS P7
	Emballagetype	TO-251
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	360mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	16.4nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd	53W
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	2.4 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	9.82mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A
	Drain source spænding maks. Vds 700V
	Serie CoolMOS P7
	Emballagetype TO-251
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 360mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd 53W
	Min. driftstemperatur -40°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 2.4 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 9.82mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPS70R360P7SAKMA1

Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at fokusere på omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Super Junction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydelsesforhold og det art avancerede brugervenlighed. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design.

Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Fremragende termisk ydelse

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Lavt skiftetab (Eoss)

Produktvalidering i henhold JEDEC-standard

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links