Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2580
- Producentens varenummer:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 580,88
(ekskl. moms)
Kr. 726,07
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 150 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 7,745 | Kr. 580,88 |
| 150 - 300 | Kr. 7,535 | Kr. 565,13 |
| 375 - 675 | Kr. 7,337 | Kr. 550,28 |
| 750 - 1800 | Kr. 7,15 | Kr. 536,25 |
| 1875 + | Kr. 6,971 | Kr. 522,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2580
- Producentens varenummer:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.4mm | |
| Højde | 9.82mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.4mm | ||
Højde 9.82mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at fokusere på omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Super Junction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydelsesforhold og det art avancerede brugervenlighed. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design.
Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Produktvalidering i henhold JEDEC-standard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 5.7 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 9.4 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7