Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 147,74

(ekskl. moms)

Kr. 184,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 4.160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 7,387Kr. 147,74
100 - 180Kr. 7,016Kr. 140,32
200 - 480Kr. 6,729Kr. 134,58
500 - 980Kr. 6,426Kr. 128,52
1000 +Kr. 5,988Kr. 119,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2526
Producentens varenummer:
IPN70R360P7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.5A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.4nC

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

7.2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V maksimal drain source-spænding, 12,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPN70R360P7SATMA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et udvidet omgivende temperaturområde og er velegnet til kredsløb, der kræver robust spændingshåndtering, lavt fremadgående ledningsfald og kontrolleret portstyring. Komponenten leveres i en kompakt SOT-223-pakke, der er beregnet til kortmonterede effekttrin.

Egenskaber og fordele:


• 700 V nominel drain-tolerance muliggør højspændingsswitching
• 360 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastningscyklusser
• 12.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat effektgennemstrømning
• 16.4 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 0,9 V fremadgående spænding reducerer spændingsfaldet i ledningstilstand
• 7,2 W maksimal tab styrer termisk belastning i kompakte layouter

Anvendelser


• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til højspændingskonvertere på primærsiden
• Anvendes med resonante eller svært skiftende topologier
• Kan bruges til ekstra strømskinner i industrielle systemer
• Anvendes til mellemstrømsboost- og flyback-trin

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?


Enheden må ikke drives ud over ±20 V mellem port og kilde for at forhindre port-oxidbelastning.

Hvordan opfører enheden sig over ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både koldstart og miljøer med høje temperaturer med forringede Rds(on) forventes ved høje temperaturer.

Hvilke monteringshensyn er relevante for termisk styring?


Som et overflademonteret SOT-223-hus anbefales et tilstrækkeligt kobberareal og termiske ledninger på printkortet at sprede op til 7,2 W effektgrænse.

Hvordan påvirker gateopladning drevkravene?


Den typiske 16,4 nC portladning definerer drevstrømmen og skiftetabene, hvilket informerer valget af portdrivere og snubbere for den ønskede skiftehastighed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.