Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4392
- Producentens varenummer:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 123,12
(ekskl. moms)
Kr. 153,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,156 | Kr. 123,12 |
| 100 - 180 | Kr. 4,806 | Kr. 96,12 |
| 200 - 480 | Kr. 4,503 | Kr. 90,06 |
| 500 - 980 | Kr. 4,189 | Kr. 83,78 |
| 1000 + | Kr. 4,039 | Kr. 80,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4392
- Producentens varenummer:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.65mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.65mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. opladere til mobiltelefoner eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer.
Den understøtter mindre magnetisk størrelse med lavere BOM-omkostninger
Den har høj ESD-robusthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7