Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 128,52

(ekskl. moms)

Kr. 160,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.480 enhed(er) afsendes fra 08. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,426Kr. 128,52
100 - 180Kr. 5,019Kr. 100,38
200 - 480Kr. 4,698Kr. 93,96
500 - 980Kr. 4,372Kr. 87,44
1000 +Kr. 4,215Kr. 84,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4392
Producentens varenummer:
IPD70R360P7SAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.5A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.4nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

59.5W

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Portkildespænding maks.

16V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.42mm

Længde

6.65mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 12,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPD70R360P7SAUMA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til switch-mode strømkonvertering og andre strømhåndteringsroller. Det er en overflademonteret komponent, der er beregnet til brug, hvor der er behov for robust spændingsblokering og skiftekapacitet i kompakte enheder. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og understøtter typiske gate-drivspændinger til effektelektronik.

Egenskaber og fordele:


• 700 V blokeringsevne muliggør højspændingsdesign
• 12.5 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• RDS(on) 360 mΩ minimerer ledningstab under belastning
• Effekttab på 59,5 W muliggør vedvarende termisk håndtering
• Gate-opladning 16,4 nC reducerer koblingsenergitab
• VGS-klassificering ±16 V muliggør standard gate-drive-margener

Anvendelser


• Velegnet til højspændings SMPS-primære kontakter
• Ideel til industrielle strømomformertrin
• Anvendes sammen med flyback- og forward-topologier i forsyninger
• Kan bruges til frontender med effektfaktorkorrektion
• Velegnet til højspændingstest og laboratorieopsætninger

Hvilket termisk område kan enheden tolerere under drift?


Den er specificeret til drift fra -40 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvilken pakke skal jeg forvente med hensyn til kortlayout?


Delen leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben for nem integration af printkortfodaftryk.

Hvad er fremadgående ledningsegenskab under omskiftning?


Den fremadrettede spænding er 0,9 V, hvilket påvirker beregninger af ledningstab under drift i tændt tilstand.

Hvordan skal gate-drive-design tage hensyn til koblingsadfærd?


Brug den typiske gate-ladning på 16,4 nC til størrelse af driverstrøm og koblingstiming til de ønskede overgangshastigheder.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.