Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 5,7 A 700 V, 3 ben, IPAK (TO-251), CoolMOS™ P7 IPSA70R2K0P7SAKMA1

Infineon Cool MOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste Cool MOS P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at fokusere på omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkedet, f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende super-junction MOSFET, kombineret med et fremragende forhold mellem pris og ydeevne og det art avancerede brugervenlighed. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design.

Ekstremt lave tab pga. genanvendelse lav FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Produktvalideringa cc.JEDEC-standard
Omkostningseffektiv teknologi
Lavere temperatur
Høj ES-robusthed
Aktiverer effektive højere switching-frekvenser
Enablehighpowerdensitetdesignsandksmefaktorer