Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 5.7 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 135,15

(ekskl. moms)

Kr. 168,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 +Kr. 1,802Kr. 135,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7444
Producentens varenummer:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.7A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

17.6W

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.8nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.38 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Cool MOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste Cool MOS P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at fokusere på omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkedet, f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv. den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende super-junction MOSFET, kombineret med et fremragende forhold mellem pris og ydeevne og det art avancerede brugervenlighed. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design.

Ekstremt lave tab pga. genanvendelse lav FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss

Fremragende termisk ydelse

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Lavt skiftetab (Eoss)

Produktvalideringa cc.JEDEC-standard

Omkostningseffektiv teknologi

Lavere temperatur

Høj ES-robusthed

Aktiverer effektive højere switching-frekvenser

Enablehighpowerdensitetdesignsandksmefaktorer

Relaterede links