Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 215-2553
- Producentens varenummer:
- IPSA70R750P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 151,575
(ekskl. moms)
Kr. 189,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 2,021 | Kr. 151,58 |
| 150 - 300 | Kr. 1,651 | Kr. 123,83 |
| 375 - 675 | Kr. 1,63 | Kr. 122,25 |
| 750 - 1800 | Kr. 1,611 | Kr. 120,83 |
| 1875 + | Kr. 1,592 | Kr. 119,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2553
- Producentens varenummer:
- IPSA70R750P7SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.
Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7