Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- RS-varenummer:
- 215-2508
- Producentens varenummer:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 5.362,50
(ekskl. moms)
Kr. 6.702,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,145 | Kr. 5.362,50 |
| 5000 + | Kr. 2,038 | Kr. 5.095,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2508
- Producentens varenummer:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.
Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R600P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7 Nej
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7 Nej IPA70R600P7SXKSA1
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7 Nej