Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 215-2508
- Producentens varenummer:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 5.722,50
(ekskl. moms)
Kr. 7.152,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,289 | Kr. 5.722,50 |
| 5000 + | Kr. 2,261 | Kr. 5.652,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2508
- Producentens varenummer:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 8,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPD70R600P7SAUMA1
Denne MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer i forstærkning og er beregnet til kredsløb, der kræver høj drain-source-spændingskapacitet, samtidig med at den giver moderat ledningsevne og termisk håndtering til kompakte SMD-layouts.
Egenskaber og fordele:
• 700 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsopgaver
• 8.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastning
• 600 mΩ Rds(on) begrænser ledningstab i konstruktioner med medium effekt
• 10,5 W maks. effekttab muliggør pålidelig termisk margen
• 10,5 nC typisk gate-opladning giver hurtigere gate-overgange
• ±20 V gate-tolerance tillader standard gate-drivspændinger
• 8.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastning
• 600 mΩ Rds(on) begrænser ledningstab i konstruktioner med medium effekt
• 10,5 W maks. effekttab muliggør pålidelig termisk margen
• 10,5 nC typisk gate-opladning giver hurtigere gate-overgange
• ±20 V gate-tolerance tillader standard gate-drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode-strømforsyninger
• Ideel til strømkonverteringsfaser på primærsiden
• Anvendes med resonans- og hard-switched topologier
• Kan bruges til industrielle belysningsforkoblinger
• Anvendes i kompakte SMD-strømmoduler
• Ideel til strømkonverteringsfaser på primærsiden
• Anvendes med resonans- og hard-switched topologier
• Kan bruges til industrielle belysningsforkoblinger
• Anvendes i kompakte SMD-strømmoduler
Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket dækker brede termiske miljøer.
Hvor mange elektriske forbindelser har den til printkortlayout?
Enheden har tre ben i en TO-252-pakke til overflademontering, der kræver et konventionelt SMD-design.
Hvilken ledningsegenskab bestemmer spændingsfaldet under tændt tilstand?
On‐tilstandsmodstanden på 600 mΩ definerer spændingsfaldet ved en given drenstrøm og påvirker ledningstab.
Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?
Den typiske gate-ladning på 10,5 nC ved Vgs-forhold påvirker den krævede drivstrøm og koblingshastighed for en given gate-driver.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7