Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 101,14

(ekskl. moms)

Kr. 126,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,057Kr. 101,14
100 - 180Kr. 4,806Kr. 96,12
200 - 480Kr. 4,705Kr. 94,10
500 - 980Kr. 4,398Kr. 87,96
1000 +Kr. 4,103Kr. 82,06

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3013
Producentens varenummer:
IPA70R600P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.5A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

24.9W

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 8,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPA70R600P7SXKSA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling i hulmontering. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til anvendelser, der kræver betydelig spændingsblokering og kontrolleret gate-drev, mens den er monteret i en TO-220-pakke.

Egenskaber og fordele:


• 700 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 8,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbelastninger
• 600 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i koblingscyklusser
• 0.9 V fremadgående spænding begrænser diodefald under omskiftning
• 24.9 W effekttab muliggør betydelig termisk gennemgang
• 30 V maks. gate-source-spænding tillader standard gate-drive-spændinger

Anvendelser


• Anvendes til omskiftning i højspændingsstrømforsyninger
• Velegnet til industrielle højspændingsomformere og invertere
• Ideel til prototyper med gennemgående hul, der kræver robust varmeafledning
• Kan bruges til middelstrøms-telekommunikationsstrømtrin
• Anvendes sammen med diskrete gate-driverkredsløb i laboratorieprøveanlæg

Hvilke driftstemperaturer kan den modstå?


Den fungerer i et termisk område fra -40 °C til +150 °C.

Hvordan skal den monteres for at opnå optimal termisk ydeevne?


Formatet TO-220 med gennemgående hul er beregnet til boltmontering af kølelegeme for at maksimere tabet.

Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes?


Gate-source-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå skader på porten.

Hvilke lednings- og koblingsevnefaktorer påvirker udvælgelsen?


Ledningstab relaterer til 600 mΩ modstand ved tænding, og skifteadfærden påvirkes af diodens 0,9 V fremadrettede karakteristik.

Er denne enhed specificeret til standardanvendelser i biler?


Den er ikke udpeget til bilstandarder og bør evalueres i overensstemmelse hermed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.