Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 218-3011
- Producentens varenummer:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 252,80
(ekskl. moms)
Kr. 316,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,056 | Kr. 252,80 |
| 100 - 200 | Kr. 4,198 | Kr. 209,90 |
| 250 - 450 | Kr. 3,943 | Kr. 197,15 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,691 | Kr. 184,55 |
| 1250 + | Kr. 3,387 | Kr. 169,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3011
- Producentens varenummer:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 24.9W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 24.9W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 8,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPA70R600P7SXKSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling i hulmontering. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til anvendelser, der kræver betydelig spændingsblokering og kontrolleret gate-drev, mens den er monteret i en TO-220-pakke.
Egenskaber og fordele:
• 700 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 8,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbelastninger
• 600 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i koblingscyklusser
• 0.9 V fremadgående spænding begrænser diodefald under omskiftning
• 24.9 W effekttab muliggør betydelig termisk gennemgang
• 30 V maks. gate-source-spænding tillader standard gate-drive-spændinger
• 8,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbelastninger
• 600 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i koblingscyklusser
• 0.9 V fremadgående spænding begrænser diodefald under omskiftning
• 24.9 W effekttab muliggør betydelig termisk gennemgang
• 30 V maks. gate-source-spænding tillader standard gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Anvendes til omskiftning i højspændingsstrømforsyninger
• Velegnet til industrielle højspændingsomformere og invertere
• Ideel til prototyper med gennemgående hul, der kræver robust varmeafledning
• Kan bruges til middelstrøms-telekommunikationsstrømtrin
• Anvendes sammen med diskrete gate-driverkredsløb i laboratorieprøveanlæg
• Velegnet til industrielle højspændingsomformere og invertere
• Ideel til prototyper med gennemgående hul, der kræver robust varmeafledning
• Kan bruges til middelstrøms-telekommunikationsstrømtrin
• Anvendes sammen med diskrete gate-driverkredsløb i laboratorieprøveanlæg
Hvilke driftstemperaturer kan den modstå?
Den fungerer i et termisk område fra -40 °C til +150 °C.
Hvordan skal den monteres for at opnå optimal termisk ydeevne?
Formatet TO-220 med gennemgående hul er beregnet til boltmontering af kølelegeme for at maksimere tabet.
Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå skader på porten.
Hvilke lednings- og koblingsevnefaktorer påvirker udvælgelsen?
Ledningstab relaterer til 600 mΩ modstand ved tænding, og skifteadfærden påvirkes af diodens 0,9 V fremadrettede karakteristik.
Er denne enhed specificeret til standardanvendelser i biler?
Den er ikke udpeget til bilstandarder og bør evalueres i overensstemmelse hermed.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V P TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
