Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7 Nej IPAN70R900P7SXKSA1

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 40,76

(ekskl. moms)

Kr. 50,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 2,038Kr. 40,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2492
Producentens varenummer:
IPAN70R900P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

900mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

17.9W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Fremragende termisk ydelse

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Lavt skiftetab (Eoss)

Relaterede links