Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7 Nej IPAN70R900P7SXKSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 40,76

(ekskl. moms)

Kr. 50,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 2,038Kr. 40,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2492
Producentens varenummer:
IPAN70R900P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

900mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

17.9W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Fremragende termisk ydelse

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Lavt skiftetab (Eoss)

Relaterede links