Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7 Nej IPD70R900P7SAUMA1

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 133,20

(ekskl. moms)

Kr. 166,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,664Kr. 133,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4394
Producentens varenummer:
IPD70R900P7SAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

900mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

30.5W

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.42 mm

Længde

6.65mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. opladere til mobiltelefoner eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer.

Den understøtter mindre magnetisk størrelse med lavere BOM-omkostninger

Den har høj ESD-robusthed

Relaterede links