Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

RS-varenummer:: 219-5994
Producentens varenummer:: IPD95R2K0P7ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.537,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 2,732	Kr. 6.830,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 219-5994
Producentens varenummer:: IPD95R2K0P7ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4A
	Drain source spænding maks. Vds	950V
	Serie	CoolMOS P7
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	37W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	10nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	2.41mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Bredde	6.22mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A
	Drain source spænding maks. Vds 950V
	Serie CoolMOS P7
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 37W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 2.41mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Bredde 6.22mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 seriens MOSFET, 950 V drain source-spænding, 4 A kontinuerlig drain-strøm - IPD95R2K0P7ATMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til kobling og strømkonvertering i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor en kompakt, termisk kompatibel koblingsenhed er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 950 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 2 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under drift med høj strøm
• 10 nC gate-ladning reducerer drevenergi og koblingsrelaterede tab
• 4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme pålideligt
• Maksimalt effekttab på 37 W muliggør betydelig termisk overflade
• 20 V gate-source-kapacitet, der passer til almindelige gate-drevspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til primære kontakter til switch-mode strømforsyning
• Anvendes sammen med industrielle motordrev-frontender
• Kan bruges til energiomdannelse i vedvarende systemer
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering

Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?

Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug i brede termiske kabinetter.

Hvordan er den pakket til printkortmontering?

Den leveres i en TO-252-pakke til overflademontering, der er velegnet til montering på loddet kort.

Hvilke fremadgående ledningsegenskaber er typiske ved ledning?

Enheden udviser en fremadgående spænding på 0,9 V under ledning under passende forhold.

Hvor mange elektriske forbindelser har den til kredsløbsintegration?

Den har tre ben til standard MOSFET-terminaltilslutninger.