Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

Denne MOSFET er en højspændingsforstærket N-kanal-transistor, der er beregnet til effektswitch-anvendelser, hvor der kræves vedvarende termisk og elektrisk ydeevne. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til monterede installationer, hvilket giver en balance mellem spændingshåndtering, strømkapacitet og gate-drive-tolerance til brug i strømkonvertering og koblingskredsløb.

• 950 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger
• 120 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab under omskiftning
• 27 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 0.9 V fremadgående spænding minimerer Vf-relateret ledningsfald
• 30 V gate-source-klassificering muliggør almindelige gate-drivspændinger

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til offline switch-mode strømforsyning på primærsiden
• Anvendes til industriel strømkontakt og motordrev
• Kan bruges til HV-dæmpningskredsløb og klemmekredsløb
• Anvendes sammen med strømsamlinger, der kræver TO‐220-montering

Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og +150 °C.

Den har tre ben og er designet til montering gennem hul i en TO-220-pakke.

Det er en N-kanalenhed med forbedringstilstand.

Den maksimale drain-source-spænding er 950 V, hvilket muliggør brug i højspændingskredsløb.

Gate-source-spændingen må ikke overstige 30 V.