Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-9051
- Producentens varenummer:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 97,85
(ekskl. moms)
Kr. 122,30
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 3,914 | Kr. 97,85 |
| 125 - 225 | Kr. 3,719 | Kr. 92,98 |
| 250 - 600 | Kr. 3,56 | Kr. 89,00 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,408 | Kr. 85,20 |
| 1250 + | Kr. 3,172 | Kr. 79,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9051
- Producentens varenummer:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 18W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 18W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon seneste 800V CoolMOS P7-serie sætter en ny standard inden for 800V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med den art, der er mest brugervenlig, hvilket er resultatet af Infineons mere end 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi. Disse er nemme at køre og parallelle, hvilket muliggør design med højere effekttæthed, BOM-besparelser og lavere monteringsomkostninger. Disse anbefales til hårde og bløde tilbageskiftende topologier til LED-belysning, laveringslys og adaptere, lyd, AUX-strøm og industriel strøm.
Den leveres med fuldt optimeret portefølje
Integreret Zener diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 950 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7