Infineon N-Kanal, MOSFET, 5,7 A 800 V, 3 ben, DPAK (TO-252), CoolMOS™ CE IPD80R1K0CEATMA1

RS-varenummer:: 165-8015
Producentens varenummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 5,7 A 800 V, 3 ben, DPAK (TO-252), CoolMOS™ CE IPD80R1K0CEATMA1

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 2500)

Kr. 4,555

(ekskl. moms)

Kr. 5,694

(inkl. moms)

2340 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
2500 +	Kr. 4,555	Kr. 11.387,50

RS-varenummer:: 165-8015
Producentens varenummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Brand:: Infineon

IPD80R1K0CE MOSFET CoolMOS CE
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	5,7 A
Drain source spænding maks.	800 V
Kapslingstype	DPAK (TO-252)
Serie	CoolMOS™ CE
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	950 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	3.9V
Mindste tærskelspænding for port	2.1V
Effektafsættelse maks.	83 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Antal elementer per chip	1
Længde	6.73mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	31 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	6.22mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Gennemgangsspænding for diode	1.2V
Højde	2.41mm

Infineon N-Kanal, MOSFET, 5,7 A 800 V, 3 ben, DPAK (TO-252), CoolMOS™ CE IPD80R1K0CEATMA1

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Relaterede links