Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE Nej

RS-varenummer:: 165-8015
Producentens varenummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 10.770,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.462,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 24. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 4,308	Kr. 10.770,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-8015
Producentens varenummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.7A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	CoolMOS CE
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	950mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	30 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	31nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	2.41mm
	Længde	6.73mm
	Bredde	6.22 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.7A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie CoolMOS CE
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 950mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 30 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 2.41mm
	Længde 6.73mm
	Bredde 6.22 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5,7A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 83W maksimal effektafledning - IPD80R1K0CEATMA1

Denne MOSFET leverer løsninger til strømstyring og generel elektronik og udnytter avanceret CoolMOS CE-teknologi med højspændingskapacitet på op til 800 V. Den har høj effektivitet og lav on-state modstand, hvilket optimerer designet og forbedrer pålideligheden.

Egenskaber og fordele

• Øget effekttæthed giver mulighed for mere kompakte systemdesigns

• Reducerede kølebehov fører til omkostningsbesparelser for systemerne

• Lavere driftstemperaturer øger systemets pålidelighed

• Høj spidsstrømskapacitet understøtter krævende anvendelser

• Pålidelig dv/dt-klassificering sikrer stabilitet under hurtige spændingsændringer

• Overholder RoHS-standarderne for miljøvenlig brug

Anvendelsesområder

• Bruges i LED-belysningsløsninger til retrofit-installationer

• Velegnet til QR flyback-topologi i strømforsyninger

• Effektiv inden for strømfordelingssystemer til biler

• Ideel til forskellige højspændingsindustrier

Hvordan forbedrer MOSFET'en systemets ydeevne inden for strømstyring?

Det forbedrer effekttætheden og reducerer de termiske krav, hvilket fører til øget effektivitet og lavere energitab under drift.

Hvad er fordelene ved at bruge denne enhed til LED-belysning?

Den leverer pålidelig ydelse med mindre varmeudvikling, hvilket bidrager til lang levetid og stabilitet i belysningssystemer.

Er den kompatibel med højfrekvente applikationer?

Ja, dens lave gate-ladning og høje spidsstrømskapacitet gør den velegnet til højfrekvent drift, hvilket sikrer minimale koblingstab.

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm for denne enhed?

Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm er på 5,7 A, hvilket gør den velegnet til forskellige strømkrævende anvendelser.

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?

Den fungerer effektivt mellem -55 °C og +150 °C, hvilket giver alsidighed i forskellige miljøer.