Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 214-9045
- Producentens varenummer:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 123,90
(ekskl. moms)
Kr. 154,875
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 4,956 | Kr. 123,90 |
| 125 - 225 | Kr. 4,712 | Kr. 117,80 |
| 250 - 600 | Kr. 4,605 | Kr. 115,13 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,306 | Kr. 107,65 |
| 1250 + | Kr. 4,009 | Kr. 100,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9045
- Producentens varenummer:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS CE er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Super Junction MOSFET, samtidig med at den ikke går på kompromis med brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.
Nem at bruge/køre
Meget stor kommutationsrobusthed
Kvalificeret til standardmodeller
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ CE IPD60R800CEAUMA1
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE