Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4671
- Producentens varenummer:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 74,13
(ekskl. moms)
Kr. 92,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.980 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,413 | Kr. 74,13 |
| 50 - 90 | Kr. 7,046 | Kr. 70,46 |
| 100 - 240 | Kr. 6,747 | Kr. 67,47 |
| 250 - 490 | Kr. 6,455 | Kr. 64,55 |
| 500 + | Kr. 6,006 | Kr. 60,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4671
- Producentens varenummer:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 51W | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 51W | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 10.6 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 51 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 500 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE