Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
222-4670
Producentens varenummer:
IPD60R280CFD7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Effektafsættelse maks. Pd

51W

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.