STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej STD5N80K5

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 86,89

(ekskl. moms)

Kr. 108,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.670 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 8,689Kr. 86,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8440
Producentens varenummer:
STD5N80K5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.73Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.17mm

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne N-kanal Power MOSFET med meget høj spænding er designet med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i modstand og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Branchens laveste RDS(on)x-område

Branchens bedste FOM (figur af fortjeneste)

Ultralav gate-opladning

Zener-beskyttet

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links