STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 15.670,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.587,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 6,268Kr. 15.670,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-8285
Producentens varenummer:
STD11N60DM2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

420mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.17mm

Bredde

6.2 mm

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Lav modstand ved tændt

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links