STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 53,41

(ekskl. moms)

Kr. 66,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 4.895 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 10,682Kr. 53,41
10 - 95Kr. 10,486Kr. 52,43
100 - 245Kr. 10,248Kr. 51,24
250 - 495Kr. 10,068Kr. 50,34
500 +Kr. 9,814Kr. 49,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-6330
Producentens varenummer:
STD86N3LH5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

STD

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

UL

Bredde

6.2 mm

Længde

6.6mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFET-enheden er en N-kanal Power MOSFET, der er udviklet ved hjælp af STMicroelectronics' STripFET H5-teknologi. Denne enhed er optimeret til at opnå meget lav modstand i tændt tilstand.

Lav ON-modstand RDSon

Høj lavine-robusthed

Lavt effekttab ved gate-drev

30 V-tidsfiltre

80 A ID

Relaterede links

Recently viewed