STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 126,94

(ekskl. moms)

Kr. 158,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 126,94
10 - 99Kr. 114,29
100 +Kr. 105,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-226
Producentens varenummer:
SCT018H65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79.4nC

Driftstemperatur maks.

75°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links