STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 215-226
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 121,10
(ekskl. moms)
Kr. 151,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 121,10 |
| 10 - 99 | Kr. 119,53 |
| 100 - 499 | Kr. 118,11 |
| 500 - 999 | Kr. 116,69 |
| 1000 + | Kr. 115,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-226
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 385W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 75°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 385W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 75°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT