STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 482-971
- Producentens varenummer:
- SCT018W65G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 126,56
(ekskl. moms)
Kr. 158,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 587 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 126,56 |
| 5 + | Kr. 125,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 482-971
- Producentens varenummer:
- SCT018W65G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
AEC-Q101 kvalificeret
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Source sensing pin for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101