STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 457,03

(ekskl. moms)

Kr. 571,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 7 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 457,03
10 +Kr. 411,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-223
Producentens varenummer:
SCT015W120G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

4.2 V

Effektafsættelse maks. Pd

673W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

167nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Ekstremt lav gate-ladning og indgangskapacitans

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links