STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101 SCT015W120G3-4AG
- RS-varenummer:
- 215-222
- Producentens varenummer:
- SCT015W120G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 13.645,68
(ekskl. moms)
Kr. 17.057,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 454,856 | Kr. 13.645,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-222
- Producentens varenummer:
- SCT015W120G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 167nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 673W | |
| Portkildespænding maks. | 4.2 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 167nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 673W | ||
Portkildespænding maks. 4.2 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Ekstremt lav gate-ladning og indgangskapacitans
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT025W120G3-4AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT020W120G3-4AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT070W120G3-4AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT040W120G3-4AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101 SCT055W65G3-4AG