STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 96,87

(ekskl. moms)

Kr. 121,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 96,87
5 +Kr. 95,59

*Vejledende pris

RS-varenummer:
482-974
Producentens varenummer:
SCT040W120G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Udgangseffekt

312W

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

5mm

Længde

21mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.