STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 208,62

(ekskl. moms)

Kr. 260,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 600 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 208,62
5 +Kr. 202,41

*Vejledende pris

RS-varenummer:
482-973
Producentens varenummer:
SCT025W120G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Højde

5.1mm

Bredde

21.1 mm

Længde

15.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links